Как выбрать оперативку для сервера

Сколько оперативной памяти нужно файловому серверу? А сколько нужно для сервера 1С? А как насчет сервера базы данных? Подойдет ли им память с опытом? Отвечаем в статье.

Как выбрать оперативку для сервера

Серверное оборудование обычно очень гибкое, во многом благодаря возможности изменять конфигурации, в том числе и контролировать объем оперативной памяти. Сколько оперативной памяти вам нужно?

Конечно, вы не услышите жалоб на то, что на сервере мало оперативной памяти. Поскольку вы не почувствуете, что процессоры слишком мощные, а диски слишком быстрые. Но компания, для которой закуплено слишком мощное оборудование, просто потеряет деньги на бездействующих конструкциях. С другой стороны, покупать меньше — еще хуже!

Какому серверу нужно сколько оперативной памяти? Как не запутаться с его покупкой? Как она? Эта статья и будет посвящена ответам на эти вопросы.

Оперативная память, наряду с центральным процессором, является одним из важнейших компонентов любой компьютерной системы. После покупки компьютера или ноутбука пользователь начинает задаваться вопросом, как узнать, какая у меня оперативная память установлена ​​в системе. Такую информацию можно получить несколькими способами, но все они различаются показателем информативности.

Каковы основные характеристики оперативной памяти и зачем их знать

Итак, чем больше ОЗУ, тем лучше, поэтому пользователи часто устанавливают на ПК дополнительный модуль ОЗУ. Однако вы не можете просто взять его, пойти в магазин, купить любую память и подключить ее к материнской плате. Если он выбран неверно, компьютер не сможет работать или, что еще хуже, это приведет к тому, что оперативная память просто выйдет из строя. Поэтому так важно знать его ключевые характеристики. Это включает:

1. Тип RAM. Модули DDR2, DDR3 и DDR4 отличаются производительностью и конструктивными особенностями.
2. Объем памяти. Параметр характеризуется объемом данных, которые могут содержаться в ячейках памяти.
3. Частота RAM. Параметр определяет скорость выполнения операций в единицу времени. Полоса пропускания модуля RAM зависит от частоты.
4. Время. Это задержки между отправкой команды контроллеру памяти и ее выполнением. С увеличением частоты раз увеличиваются, поэтому разгон оперативной памяти может привести к снижению ее производительности.
5. Напряжение. Напряжение, необходимое для оптимальной работы планки памяти.
6. Фактор формы. Физический размер, форма планки RAM, а также количество и расположение контактов на карте.

Если вы устанавливаете дополнительную память, она должна быть такого же размера, типа и частоты, что и основная. Если произведена полная замена ОЗУ, нужно обратить внимание на поддержку заменяемого ОЗУ материнской платой и процессором только с одним нюансом. Если на вашем ПК используются процессоры Intel Core i3, Intel Core i5, Intel Core i7, вам не нужно согласовывать частоту памяти с материнской платой, потому что для всех этих процессоров контроллер RAM находится в самом процессоре, а не в северном мосту материнская плата. То же самое и с процессорами AMD.

Как отличить одноранговую память от двухранговой Если с двухканальной ОЗУ все более-менее понятно (четное количество модулей работает быстрее, чем нечетное), то термин «два ранга

Заключение

Наш одноранговый или двухранговый тест памяти ddr4 для ryzen является всеобъемлющим. Единственный тест, который демонстрирует стабильное повышение производительности за счет многоранговой памяти, — это Cinebench R15. Четырехранговая память обеспечивает выигрыш на 1,2% по сравнению с одноранговой памятью. Кажется, что для всех тестов не требуется много памяти из-за того, что сцены, которые они содержат, очень просты и нет смысла обращаться к большим объемам памяти при рендеринге.

вы можете увидеть немного большее увеличение производительности с 4-ранговой памятью на платформе Threadripper, в зависимости от задач и свойств ваших проектов.

Для современных 64-битных модулей памяти это число относится к количеству наборов микросхем, каждый из которых составляет всего 64 бита (72 бита, если доступна поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к линии управления Chip Select).

Если говорить очень грубо, двухрядный модуль состоит из двух логических модулей, припаянных к одному и тому же физическому каналу и поочередно использующих один и тот же физический канал. Четверной: то же самое, но в четверной шкале. Также есть восьмирядные модули

Зачем и кому это нужно. Только на тяжелых серверах и рабочих станциях, чтобы максимально увеличить объем оперативной памяти с ограниченным количеством слотов. При этом общее количество таких же рангов на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому при прочих равных условиях двухрядный модуль выгоднее четырехрядного, поскольку создает меньшую нагрузку на чипсет.

Этот параметр можно найти в документации производителя на модуль памяти, например для Kingston чистых рангов, его несложно вычислить по буквам одной из трех букв посередине маркировки: S (Single — single — разряд), D (двойной — два разряда), Q (Четверка — четыре разряда).

CL CAS Latency, CAS — это количество тактов с момента запроса данных до их считывания из модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, от которой зависит его производительность. Чем ниже значение CL, тем быстрее работает память tRAS. Activate for Preload Delay — минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой предварительной зарядки или закрытия того же банка памяти. TRCD Delay from RAS to CAS — задержка между сигналы, определяющие адрес строки и адрес столбца tRP Row Precharge Delay — параметр, определяющий время переизлучения (период накопления заряда, перезарядки) сигнала RAS, то есть время, по истечении которого контроллер памяти сможет для повторного вывода сигнала инициализации адреса линии. Буферизация Наличие в модуле памяти специальных регистров (буферов), которые относительно быстро сохраняют полученные данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и микросхемами памяти приводит к формированию дополнительной задержки в один такт при работе, т.е большая надежность достигается за счет небольшого снижения производительности. Модули памяти журналов дороги и в основном используются на серверах. Обратите внимание, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е они не могут использоваться одновременно в одной системе. Количество контактов (от 144 до 244) Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте RAM на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Также следует учитывать, что помимо такого же количества контактов должны совпадать и «ключи» (специальные вырезы на модуле во избежание неправильной установки). Количество модулей в комплекте Количество модулей памяти, продаваемых в комплекте. Помимо одинарных планок, часто бывают наборы из двух, четырех, шести, восьми модулей с одинаковыми характеристиками, выбранных для работы попарно (двухканальный режим). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности и, как следствие, увеличению скорости приложения. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками от одного производителя, приобретенные отдельно, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим памяти, важна высокая скорость работы игровых приложений и графики вам следует обратить особое внимание на наборы из нескольких модулей. Число рангов Число рангов модуля RAM. Ранг — это область памяти, созданная некоторыми или всеми микросхемами в модуле памяти, и имеет ширину 64 бита (72 бита, если доступна поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга. У современных серверных материнских плат есть ограничение на общее количество рангов памяти, например, если можно установить максимум восемь рангов и предусмотрено четыре двухранговых модуля, установка дополнительных модулей в свободные слоты больше невозможна, потому что это превысит лимит. По этой причине одноранговые модули дороже, чем двухранговые и четырехранговые модули. Количество микросхем для каждого модуля (от 1 до 72) Количество микросхем в модуле памяти. Микросхемы могут быть размещены на одной или обеих сторонах платы модуля. Источник питания Напряжение, необходимое для питания модуля RAM. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение. Низкий профиль. Модуль памяти, высота которого меньше стандартного, может быть установлен в серверный корпус меньшей высоты. Объем модуля (от 0,03125 до 32,0 ГБ) Объем памяти для модуля.
Общая системная память рассчитывается путем сложения объема памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для удобной работы современных графических редакторов и игр потребуется не менее 4 ГБ ОЗУ. Поддержка ECC Поддержка проверки и исправления ошибок — алгоритм, который не только обнаруживает, но и исправляет случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие во время передачи данных. Технология ECC поддерживается на некоторых материнских платах рабочих станций и почти на всех материнских платах серверов. Модули памяти с ECC дороже модулей памяти без ECC. Пропускная способность Пропускная способность модуля памяти — это количество информации, передаваемой или принимаемой за секунду. Значение этого параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается путем умножения тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и выше стоимость модуля (если другие функции совпадают). Радиатор Наличие специальных металлических пластин, закрепленных на микросхемах памяти для улучшения теплоотдачи. Обычно радиаторы устанавливаются на модули памяти, рассчитанные на работу на высоких частотах. Совместимость Модели ПК или ноутбуков, для которых предназначен модуль памяти. Помимо модулей общего назначения, некоторые производители выпускают память для определенных моделей компьютеров. Тактовая частота Максимальная частота системного генератора, с помощью которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенная тактовая частота, так как две операции выполняются с данными за один тактовый цикл. Чем выше тактовая частота, тем больше операций выполняется за единицу времени, что обеспечивает более стабильную и быструю работу компьютерных игр и других приложений. При прочих равных, память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость. Тип Тип ОЗУ. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. Сегодня существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (синхронная динамическая память с произвольным доступом) — это синхронная динамическая память с произвольным доступом. Преимуществом перед памятью предыдущих поколений является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время доступности данных, благодаря чему сокращаются задержки во время циклов ожидания, потому что к данным можно получить доступ во время каждого тиканье таймера. Раньше он широко использовался в компьютерах, но сейчас почти полностью заменен на DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (SDRAM с двойной скоростью передачи данных) — это синхронная динамическая память с произвольным доступом и двойной скоростью передачи данных. Основное преимущество DDR SDRAM перед SDRAM заключается в том, что с данными могут выполняться две операции за один тактовый цикл системы, что удваивает пиковую полосу пропускания при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM — это следующее поколение памяти DDR. Принцип работы аналогичен используемому в DDR. Отличие заключается в возможности выборки 4 бита данных за цикл (2-битная выборка выполняется для DDR), а также в более низком энергопотреблении модуля памяти, меньшем тепловыделении и увеличенной рабочей частоте.
DDR3 SDRAM является следующим поколением после DDR2 SDRAM и использует ту же технологию «удвоения частоты». Основные отличия от DDR2 — это возможность работать на более высокой частоте и меньшее энергопотребление.
Модули DDR3 используют «ключи» (слоты выравнивания), отличные от «ключей» DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 — это стандарты памяти DDR3 с низким энергопотреблением. Напряжение питания для DDR3L снижено до 1,35 В. Напряжение LPDDR3 составляет 1,2 В. Для сравнения, напряжение питания «обычных» модулей DDR3 составляет 1,5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) — синхронная динамическая память, разработанная Rambus. Основными отличиями от памяти DDR являются увеличение тактовой частоты из-за уменьшения ширины шины и одновременной передачи номеров строк и столбцов ячеек при доступе к памяти. Обладая несколько более высокой производительностью, RDRAM была значительно дороже, чем DDR, что привело к почти полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы — совместимость с различными модулями памяти. Упаковка микросхемы Тип размещения микросхемы на модуле памяти. Есть модули с двусторонней и односторонней упаковкой. Когда микросхемы стоят с двух сторон, модули получаются толстыми и физически не могут быть установлены в некоторые системы. Форм-фактор Форм-фактор модуля RAM. Форм-фактор — это стандарт, который определяет размер модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (однострочный модуль памяти) — модули памяти SIMM обычно имеют 30 или 72 контакта, каждый из которых имеет выход с обеих сторон карты памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) — модули памяти с форм-фактором DIMM обычно имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны от карты памяти.
Модули памяти FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Они механически похожи на 240-контактные модули DIMM, но полностью несовместимы с обычными модулями DIMM DDR2 без буферизации и зарегистрированными модулями DIMM DDR2.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) — это более компактный вариант DIMM, наиболее часто используемый в ноутбуках и планшетных ПК. 144- и 200-контактные модули являются наиболее популярными модулями SODIMM, но существуют также 72- и 168-контактные модули.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще один вариант DIMM, обычно встречающийся в субноутбуках. Меньше, чем SODIMM, и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в 144-контактной SDRAM, 172-контактной DDR и 214-контактной DDR2.
RIMM — форм-фактор для всех модулей памяти RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
Форм-фактор модуля RAM должен соответствовать форм-фактору, поддерживаемому материнской платой компьютера.

Мы уже публиковали руководства по выбору самых разнообразных компьютерных комплектующих: процессора, материнской платы, SSD, монитора, не забыли даже роутер. Для любого боярина есть еще две очень важные покупки: оперативная память и видеокарта. Поговорим о графических ускорителях pos

Лучше два модуля по 8 ГБ, чем четыре по 4 ГБ

Выше мы говорили о разном объеме оперативной памяти: 4, 8, 16, 32 ГБ. Но почему бы ни слова про 9 или 12 ГБ? В конце концов, вы можете взять модуль емкостью 4 ГБ, затем купить еще 4 ГБ, собрать деньги и вставить еще 4 ГБ в компьютер. Так что давайте обмануть систему! Начнем с малого и будем постепенно обновлять!

Никто не запрещает это делать, но есть нюанс. Прежде всего, надо исходить из того, что сегодня большой популярностью пользуются карты памяти объемом 4, 8 и 16 ГБ. То есть установить 3ГБ + 6ГБ точно не получится. Во-вторых, компьютеры любят четное количество установленных карт памяти, то есть два или четыре модуля. В-третьих, если вы забьете все четыре слота на материнской плате, это приведет к увеличению нагрузки на контроллер памяти и, таким образом, может отрицательно повлиять на стабильность и производительность системы, а также на возможный разгон.

Поэтому получается, что лучше использовать два слота (три очень нежелательно, один можно, но с оглядкой на «сложение»). Можно и четыре, но нужно быть уверенным в качестве всех компонентов системы и не разгонять ее.

Так что лучше: один модуль на 8 ГБ или два модуля на 4 ГБ? Если мы говорим о новой системе, имеет смысл купить модуль на 8 ГБ и начать копить на другой такой же. Что, если бы выбор был между модулем 16 ГБ и двумя модулями 8 ГБ? В этом случае второй вариант предпочтительнее, и вот почему.

Современные компьютеры поддерживают двухканальную работу с памятью, что увеличивает скорость передачи данных между памятью и компонентами компьютера. То есть, по сути, пользователь получает прирост производительности компьютера бесплатно. Мощность не намного выше, но почему бы не воспользоваться таким приятным бонусом?

Здесь тоже был нюанс: для двухканального режима работы необходимы два идентичных по характеристикам модуля памяти от одного производителя. Многие производители предлагают наборы такой памяти, идентичные и гарантированно работающие в этом режиме. Бывает, что такие комплекты дороже аналогичных модулей, но вне комплекта. Необязательно следовать «заводским» предложениям, достаточно купить идентичные полосы одной серии (проверьте маркировку).

Для работы двухканального режима необходимо, чтобы память была установлена ​​в «правильные» слоты на материнской плате. Обычно они помечаются одним цветом и ставятся друг за другом. Например, 1-й и 3-й прямоугольники синие, а 2-й и 4-й — черные.

В чем разница между ОЗУ сервера и обычной ОЗУ? В чем разница между ОЗУ сервера и обычной ОЗУ? Всем привет у кого вопрос какая разница

AKADO.Форум

Д’Артаньян 23 января 2011 г

Печень 23 января 2011 г

Доступность
ECC (Error Correct Code) — обнаружение и исправление ошибок (возможна иная расшифровка той же аббревиатуры) — алгоритм, пришедший на смену «четности». В отличие от последнего, каждый бит включен более чем в одну контрольную сумму, что позволяет в случае однобитовой ошибки сбросить адрес ошибки и исправить его. Двухбитовые ошибки также обычно обнаруживаются, но не исправляются. Для реализации этих возможностей на модуле устанавливается дополнительная микросхема памяти, которая становится 72-битной, в отличие от 64-битных данных обычного модуля. ECC поддерживается всеми современными материнскими платами, предназначенными для серверных решений, а также некоторыми чипсетами «общего назначения». Некоторые типы памяти (зарегистрированная, полная буферизация) доступны только в версии ECC. Следует отметить, что ECC не является панацеей от неисправной памяти и используется для исправления случайных ошибок, снижая риск сбоев в работе компьютера из-за случайных изменений содержимого ячеек памяти, вызванных внешними факторами, такими как фоновое излучение.
Buffered — это буферный модуль. Из-за высокой совокупной электрической емкости современных модулей памяти их длительное время «перезарядки» приводит к тому, что на операции записи уходит много времени. Чтобы этого избежать, некоторые модули (обычно 168-контактные DIMM) имеют специальный чип (буфер), который относительно быстро сохраняет входящие данные, освобождая контроллер. Модули DIMM с буферизацией обычно несовместимы с модулями DIMM без буферизации. Модули с частичной буферизацией также называются «зарегистрированными», а модули с полной буферизацией — «модулями FB-DIMM». В данном случае «небуферизованный» означает обычные модули памяти без возможности буферизации.

Добавлено через 3 мин.:
PLL — Phase Lock Loop — схема частотной и фазовой автоподстройки частоты, служит для снижения электрической нагрузки на контроллер памяти и повышения стабильности при использовании большого количества микросхем памяти, используется во всех модулях с буферизацией памяти.

Добавлено через 5 мин.:
Зарегистрированные модули памяти рекомендуются для систем, которым требуется (или поддерживается) 4 ГБ или более ОЗУ. Они всегда имеют ширину 72 бита, т.е являются модулями ECC и содержат дополнительные микросхемы регистров для частичной буферизации.