Как настроить оперативную память в БИОСе: инструкция в 4 простых разделах

Как настроить частоту ОЗУ в BIOS и как изменить время? И каковы преимущества таких изменений? Прочтите статью: ответит на все вопросы!

После установки ОЗУ может оказаться полезным изменить ее настройки. Фактически, без дополнительных настроек планки операторы могут работать с минимумом своих возможностей. А настроив оперативную память по своему усмотрению, вы можете ее разогнать – увеличить частоту. Это может улучшить производительность вашего компьютера. Однако стоит знать, что не все операционные системы и не все материнские платы поддерживают его. Так что, если вам нужна такая возможность, стоит позаботиться о ней перед покупкой комплектующих.

Совет: Если вы планируете самостоятельно установить новую отделку на свой компьютер, лучше всего устанавливать полные модели, такие как HyperX SO-DIMM DDR3, с теми же временами и частотами. В противном случае вариант с более высокой частотой будет автоматически работать со скоростью более медленного, или они будут конфликтовать, и вся система перестанет работать.

полный RAM

Примечание: пара флешек на 4 ГБ более эффективна, чем пара на 8 ГБ. Двухканальный режим дает возможность добиться увеличения производительности CPU на 5-10% и GPU – до 50%. Если на ПК 4 слота, а у пользователя два модуля, для активации многоканальности их следует установить через один.

Разгон оперативной памяти не так популярен, как разгон процессора и графического процессора, однако он может дать вам ощутимый прирост производительности. Главное правильно подобрать частоту, напряжение и сроки. Для этого есть специальные утилиты и таблицы.

Как узнать тайминги оперативной памяти

На производительность модулей памяти влияет не только частота, но и тайминги. Многие пользователи при выборе ОЗУ игнорируют этот параметр, а зря. Значения времени также определяют стабильность работы системы. Считается, что чем выше их значения, тем меньше вероятность выхода из строя, но при этом снижается производительность.

Времена – это временные задержки, которые происходят между передачей определенной команды шины памяти и ее фактическим выполнением. Проще говоря, эта функция показывает скорость, с которой данные передаются в модуле RAM.

Время памяти на наклейке

Время обычно указывается на наклейке на планке RAM в виде последовательности из 4 цифр, разделенных тире. Они отображают следующие значения по порядку:

  1. CL (CAS Latency) – сколько времени прошло от отправки запроса в память до того, как он начал его обрабатывать;
  2. tRCD (RAS to CAS Delay) – длительность периода активации для одной строки (RAS) и одного столбца (CAS) в матрице хранения данных;
  3. tRP (RAS preload) – период времени, который начинается с команды деактивации одной линии и заканчивается активацией другой;
  4. active to Precharge Delay (tRAS) – количество циклов ожидания, прежде чем может быть инициирован следующий запрос памяти.
  5. CR или CMD (Command Rate) – сколько циклов требуется от включения микросхемы памяти до того, как она сможет получить команды. Он часто не указывается и равен 1 или 2 циклам (1T и 2T соответственно).

Чтобы узнать сроки, необязательно снимать боковую панель с корпуса ПК или разбирать ноутбук. Необходимую информацию можно просмотреть с помощью одной из утилит для чтения информации об установленных в системе компонентах. Для этого подойдет бесплатная программа CPU-Z. Для получения необходимой информации просто перейдите во вкладку «Память» и ознакомьтесь с содержанием раздела «Времена».

Время памяти в CPU-Z

Вот лучшая оперативная память 2021 года с учетом таких функций, как задержка, синхронизация, частота XMP и микросхема памяти.

На что влияют тайминги оперативной памяти?

F4-3200C14D-16GTZRX

G.SKILL Trident Z

Частота памяти – не единственный показатель, на который следует обращать внимание при выборе ОЗУ. У каждого модуля есть определенные времена или задержки, которые показывают, сколько тактов потребуется в памяти для выполнения определенной операции. Чем меньше значение times, тем выше производительность.

В свою очередь, времена делятся на основные и второстепенные, установка которых также может улучшить производительность. Правда, для начинающих пользователей это может оказаться непосильной задачей, но здесь на помощь приходит специальный профиль Extreme Memory Profile (XMP). Содержит проверенные и стабильные настройки частоты и времени. Главное не забыть активировать его в BIOS материнской платы.

Поэтому при выборе оперативной памяти учитывайте не только ее частоту, но и время, в течение которого она работает. Например, модули с частотой 3200 МГц и первичными таймингами 14-14-14-34 явно предпочтительнее модулей с частотой 3600 МГц и таймингами 19-20-20-40. Первый будет работать лучше, особенно на процессорах AMD Ryzen.

Полное руководство по разгону оперативной памяти: частота, настройки таймингов, полезное ПО

Ожидания и ограничения

В этом разделе рассматриваются 3 компонента, влияющие на процесс разгона: микросхемы (микросхемы памяти), материнская плата и встроенный контроллер памяти (IMC).

Материнская плата

  • Самые высокие частоты получаются на материнских платах с 2 слотами DIMM.
  • На материнских платах с 4 слотами DIMM максимальная частота памяти зависит от количества установленных планок.
    • На материнских платах, которые работают с микроархитектурой RAM с последовательным подключением, лучше всего использовать 2 полосы памяти. Использование 4 полосок позволяет значительно снизить максимальную частоту памяти.
    • С другой стороны, материнские платы с Т-образной топологией обеспечат наилучшую производительность при разгоне с четырьмя полосами. А использование двух полосок не повлияет на максимальную скорость памяти так сильно, как использование четырех полос в цепочке (?).
    • Большинство поставщиков не указывают, какая топология используется, но ее можно «рассчитать» на основе списка квалифицированных поставщиков (QVL), поставляемого с материнской платой. Например, Z390 Aorus Master, вероятно, использует топологию T, так как самая высокая частота демонстрируется при использовании 4 модулей DIMM. Если максимальная частота демонстрируется на 2 модулях DIMM, вероятно, используется топология гирляндного подключения.
    • По словам известного оверклокера buildzoid, разница между Т-образной и гирляндной топологиями проявляется только на частотах выше 4 ГГц. То есть, если у вас Ryzen 3000, топология не имеет значения, поскольку обычно составляет 3,8 ГГц максимум для частоты памяти при соотношении MCLK: FCLK 1: 1.

    также было отмечено, что недорогие материнские платы могут не разогнаться, возможно, из-за плохого качества печатной платы и недостаточного количества слоев (?).

    Микросхемы (чипы памяти)

    Отчеты о горелке Thaiphoon

    Судя по всему, Micron продает выброшенные некачественные чипы под брендом SpecTek. Многие стали называть этот чип «Micron E-die» или просто «E-die». Если в первом случае все было нормально, то во втором уже есть путаница, поскольку в микросхемах Samsung используется аналогичная маркировка («letter-die»), например «Samsung E-die на 4 ГБ». «E-die» обычно означает чип Samsung, поэтому стоит проверить производителя на наличие чипов Micron Rev. И это как «E-die”.

    • Одноранговые модули обычно позволяют использовать более высокие частоты, однако двойные одноранговые модули с одинаковой частотой и синхронизацией могут быть более эффективными из-за чередования рангов.
    • Размер важен для определения того, сколько памяти можно разогнать. Например, 4 ГБ AFR и 8 ГБ AFR будут разгоняться по-разному, несмотря на то, что оба являются AFR.

    Масштабирование напряжения

    Масштабирование напряжения просто означает, как микросхема реагирует на изменение напряжения. Во многих интегральных схемах tCL масштабируется по напряжению, что означает, что увеличение напряжения может позволить снизить tCL. В то время как tRCD и tRP на большинстве микросхем обычно не масштабируются с напряжением, это означает, что независимо от подаваемого напряжения эти времена не меняются. Насколько мне известно, tCL, tRCD, tRP и, возможно, tRFC могут (или не могут) видеть масштабирование напряжения. Точно так же, если синхронизация масштабируется с напряжением, это означает, что напряжение может быть увеличено, чтобы соответствующая синхронизация работала на более высокой частоте.


    Шкала напряжения CL11

    График показывает, что tCL CJR 8 ГБ масштабируется с напряжением почти точно до 2533 МГц. На кристалле B мы видим идеально ровное масштабирование tCL с напряжением.

    Некоторые старые микросхемы Micron (до Rev. E) известны своим масштабированием отрицательного напряжения. То есть при повышении напряжения (как правило, выше 1,35В) они становятся нестабильными при тех же временах и частоте. Ниже приведена таблица некоторых популярных микросхем, показывающая, какие времена масштабируются с учетом напряжения, а какие нет:

    Чип tCL tRCD tRP tRFC
    8 ГБ AFАгаНетНет?
    8 ГБ CJRАгаНетНетАга
    8 ГБ Rev. EАгаНетАга?
    8 ГБ Die BАгаАгаАгаАга

    Время, которое не зависит от напряжения, обычно необходимо увеличивать с увеличением частоты. Масштабирование напряжения TRFC для матрицы B.


    Примечание: шкала tRFC указывается в тиках, а не во времени (нс).

    Максимальная ожидаемая частота

    Ниже представлена ​​таблица предполагаемых максимальных частот некоторых популярных чипов:

    Чип Максимальная ожидаемая частота (МГц)
    8 ГБ AF3600
    8 ГБ CJR4000*
    8 ГБ Rev. E4000+
    8 ГБ Die B4000+

    * – результаты теста CJR оказались несколько противоречивыми. Я протестировал 3 идентичных бинарных файла RipJaws V 3600 CL19 объемом 8 ГБ. Один из них работал на частоте 3600 МГц, другой – на 3800 МГц, а последний был способен работать на частоте 4000 МГц. Тест проводился на CL16 с напряжением 1,45 В.

    Не ждите, что чипы производителя, одинаковые, но разного качества, одинаково хорошо разгонятся. Особенно это касается B-die.

    Суть биннинга заключается в разделении производителем получаемой на выходе продукции «по сортам», качеству. Как правило, сортировка производится по частоте, продемонстрированной во время теста.

    Производитель разделяет микросхемы, отображающие одну частоту в одном «квадрате», другую частоту в другом «квадрате». Отсюда и название процедуры – «биннинг» (bin – ящик, ящик).

    Гайка Б из ящика «2400 15-15-15» намного хуже, чем из ящика «3200 14-14-14» или даже из «3000 14-14-14». Так что не ждите, что кристалл третьего класса B обеспечит образцовые характеристики масштабирования напряжения.

    Чтобы выяснить, какая из тех же микросхем имеет лучшую производительность при одинаковом напряжении, необходимо найти время, не соответствующее шкале напряжений.

    Просто разделите частоту на это время, и чем выше значение, тем выше качество микросхемы. Например, Crucial Ballistix 3000 15-16-16 и 3200 16-18-18 являются Micron Rev. E. Если мы разделим частоту на временную шкалу tCL, измеренную по напряжению, мы получим то же значение (200). Значит ли это, что обе платы одинакового качества? Нет.

    Но tRCD не масштабируется с напряжением, поэтому его необходимо увеличивать с увеличением частоты. 3000/16 = 187,5 против 3200/18 = 177,78.

    Как видите, 3000 15-16-16 – более качественная микросхема, чем 3200 16-18-18. Это означает, что 3000 чипов 15-16-16, очевидно, могут работать как 3200 16-18-18, но если 3200 16-18-18 могут работать как 3000 15-16-16, это не факт. В этом примере разница в частоте и времени невелика, поэтому при разгоне эти уровни, скорее всего, будут очень похожими.

    Максимальный рекомендуемый дневной стресс

    В спецификации JEDEC указано (стр. 174), что абсолютный максимум составляет 1,50 В

    Напряжение выше указанного в разделе «Абсолютные максимальные значения» может привести к повреждению устройства. Это только номинальная нагрузка, и функциональная работа устройства в тех или иных условиях, превышающих указанные в соответствующих разделах данной спецификации, не подразумевается. Получение абсолютных высших рейтингов в течение длительного периода может повлиять на надежность.

    Я бы рекомендовал использовать напряжение 1,5 В только на кристалле B, поскольку известно, что он выдерживает высокие напряжения. Однако большинство популярных микросхем (4/8 ГБ AFR, 8 ГБ CJR, 8 ГБ Rev. E, 4/8 ГБ MFR) имеют максимальное рекомендуемое напряжение 1,45 В. Сообщалось, что некоторые менее известные микросхемы, такие как 8 ГБ C -die, иметь отрицательное масштабирование или даже сжечь выше 1,20 В. Однако это зависит от вас.

    Ниже приведена классификация наиболее распространенных микросхем с точки зрения частоты и времени.

    • 8 ГБ B-die> 8 ГБ Micron Rev. E> 8 ГБ CJR> 4 ГБ E-die> 8 ГБ AFR> 4 ГБ D-die> 8 ГБ MFR> 4 ГБ S-die. На основе рейтингов buildzoid.

    Встроенный контроллер памяти (IMC)

    IMC от Intel довольно стабилен, поэтому при разгоне он не должен быть узким местом. Ну чего еще ждать от 14 +++++ нм?

    Для разгона оперативной памяти необходимо изменить два напряжения: системный агент (VCCSA) и IO (VCCIO). Не оставляйте их в автоматическом режиме, так как они могут подавать опасные уровни напряжения на BMI, что может ухудшить его работу или даже сжечь. В большинстве случаев вы можете оставить VCCSA и VCCIO одинаковыми, но иногда скачок напряжения может нарушить стабильность, как вы можете видеть на скриншоте:


    предоставлено: Silent_Scone.

    Я бы также не рекомендовал повышать напряжение на 1,25 В.

    Ниже приведены рекомендуемые значения VCCSA и VCCIO для двух одноранговых модулей DIMM:

    Частота (МГц) VCCSA / VCCIO (B)
    3000-36001,10 – 1,15
    3600–40001,15 – 1,20
    4000+1,20 – 1,25

    Если присутствует несколько модулей и / или используются двухранговые модули, могут потребоваться более высокие напряжения VCCSA и VCCIO.

    tRCD и tRP взаимосвязаны, то есть, если вы установите tRCD на 16 и tRP на 17, оба будут работать с более высоким временем (17). Это ограничение объясняет, почему многие чипы не работают на Intel и почему B-die лучше подходит для Intel.

    В UEFI Asrock и EVGA оба времени объединены в tRCDtRP. ASUS tRP скрыт в UEFI. В UEFI MSI и Gigabyte tRCD и tRP видны, но попытка установить для них разные значения просто приведет к установке более высокого значения для обоих.

    Ожидаемый диапазон задержки памяти: 40-50 нс.

    В Ryzen 1000 и 2000 IMC немного суетливо относится к разгону и может не обеспечивать такую ​​высокую тактовую частоту, как Intel. Ryzen 3000 IMC намного лучше и более или менее соответствует Intel.

    Напряжение SoC – это напряжение для IMC, и, как и в случае с Intel, не рекомендуется оставлять его в автоматическом режиме. Здесь 1.0 – 1.1 В достаточно, выше поднимать нет смысла.

    На Ryzen 2000 (и, возможно, 1000 и 3000) напряжение выше 1,15 В может негативно повлиять на разгон.

    Ryzen 3000 также имеет CLDO_VDDG (не путать с CLDO_VDDP), который является напряжением для Infinity Fabric. Я читал, что напряжение SoC должно быть как минимум на 40 мВ выше, чем CLDO_VDDG, но я не смог найти другой информации об этом напряжении.

    1,01 В. Аналогично, если вы установите VDDG на 1,10 В и начнете увеличивать напряжение SoC, напряжение VDDG также увеличится. У меня нет точных цифр, но мы можем предположить, что минимальное падение напряжения (Vin-Vout) составляет около 40 мВ. В результате, ФАКТИЧЕСКОЕ напряжение SoC должно быть как минимум на 40 мВ выше желаемого VDDG, чтобы настройка VDDG вступила в силу. Регулировка только напряжения SoC, в отличие от других регулировок, мало что дает. По умолчанию установлено 1,10 В, и AMD не рекомендует изменять это значение. Увеличение VDDG в некоторых случаях помогает при разгоне матрицы, но не всегда. FCLK 1800 МГц должен быть возможен при 0,95 В по умолчанию, и для расширения пределов может быть полезно увеличить его до = <1,05 В (1100 – 1125 В SoC, в зависимости от нагрузки)."

    Источник: кулики

    Ниже приведены ожидаемые диапазоны частот для двух одноранговых модулей DIMM при условии отсутствия проблем с материнской платой и микросхемами:

    Райзен Ожидаемая частота (МГц)
    10003000-3600
    2000 г3400–3800*
    30003600-3800 (1: 1 MCLK: FCLK)
    3800+ (2: 1 MCLK: FCLK)

    Если присутствует несколько модулей и / или используются двухранговые модули, ожидаемая частота может быть ниже.

    • * – 3600+ обычно достигается с 1 DIMM на канал (DPC), используются материнские платы с 2 слотами DIMM и очень хорошим IMC. Посмотреть таблицу
    • * – 3400-3533 МГц – это максимум, если не все, на что способен Ryzen 2000 IMC.
      «Количество образцов, испытанных на максимально возможной частоте, распределилась следующим образом: 3400 МГц – 12,5% образцов; 3466 МГц – 25,0%; 3533 МГц – 62,5%». Источник: кулики

    Процессоры Ryzen 3000 с двумя чиплетами CCD (3900X и 3950X) предпочитают 4 одноранговых полосы вместо двух двухранговых.

    «Для моделей с двумя CCD конфигурация« 2 одноранговых модуля DIMM на канал »представляется наиболее подходящим вариантом. И 3600, и 3700X достигли UCLK на частоте 1800 МГц в конфигурации« 1 двухранговый модуль DIMM на канал », но 3900X скорее всего, из-за несовпадения двух ПЗС-матриц, в этой конфигурации было едва ли возможно достичь 1733 МГц. В то время как с двумя одноранговыми узлами на канал нет проблем с достижением FCLK / UCLK на 1866 МГц.”

    Источник: кулики

    Режим пониженной передачи (GDM) автоматически включается на частотах выше 2666 МГц для обеспечения четности tCL, четности tCWL и CR 1T. Если вы хотите установить нечетное tCL, отключите GDM. Если работа нестабильна, попробуйте использовать CR 2T, но это может свести на нет улучшение производительности за счет уменьшения tCL.

    • Например, если вы попытаетесь запустить 3000 CL15 с включенным GDM, CL будет округлено до 16.
    • С точки зрения производительности это выглядит так: GDM деактивирован CR 1T> GDM активирован CR 1T> GDM деактивирован CR 2T.

    Процессоры Ryzen 3000 с ПЗС-матрицей (процессоры серии ниже 3900X) имеют половину полосы пропускания записи.

    «Мы видим что-то странное в пропускной способности памяти: скорость записи AMD 3700X – которая имеет скорость записи 16 байт / цикл благодаря комбинации кристаллов CDD и IOD – вдвое меньше, чем у 3900X. AMD заявляет, что это экономит энергию , снижает тепловыделение процессора (TDP), которого пытается добиться AMD. AMD утверждает, что приложения редко выполняют чистую запись, но в одном из наших тестов на следующей странице мы увидим, как это ухудшило производительность 3700X.”

    Источник: TweakTown

    Райзен Задержка (нс)
    100065–75
    2000 г60-70
    300065-75 (1: 1 MCLK: FCLK)
    75+ (2: 1 MCLK: FCLK)

    Достаточно высокий показатель Ryzen 3000 FCLK может компенсировать потери из-за рассинхронизации MCLK и FCLK, если MCLK может быть назначен UCLK.

    Время RAM – параметр, о котором часто забывают при выборе планок RAM; что они собой представляют, каковы их лучшие ценности, каковы последствия «задержек» и как.

    И какое это значение имеет для моего компьютера?

    Представьте, что, купив давным-давно ноутбук, вы решили добавить еще одну флешку к уже имеющейся. Помимо прочего, по прикрепленной этикетке или по программам помощи можно установить, что модуль относится к категории CL-9 (9-9-9-24) по срокам):

    То есть этот модуль будет предоставлять информацию ЦП с задержкой в ​​9 условных циклов – вариант не самый быстрый, но и не самый плохой. Поэтому нет смысла зацикливаться на покупке планки с меньшей задержкой (и, по идее, с более высокими характеристиками производительности). Например, как вы уже догадались, 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21, у которых 4, 5 и 7 петель соответственно.

    Как вы узнаете из статьи «Как выбрать оперативную память? В параметрах синхронизации есть еще одна важная вещь:

    • CL – CAS Delay – время, проведенное в цикле «модуль получил команду – модуль начал отвечать». Именно этот условный период затрачивается на ответ процессора от модуля (s
    • tRCD – Delay from RAS to CAS – время, необходимое для активации строки (RAS) и столбца (CAS) – здесь данные хранятся в матрице (каждый модуль памяти организован по типу матрицы)
    • tRP – fill (load) RAS – время прекратить доступ к одной строке данных и начать доступ к следующей
    • tRAS – указывает, как долго сама память должна будет ждать следующего обращения к себе
    • CMD – Command Rate – время, проведенное в цикле «чип активирован – получена первая команда (или чип готов принять команду)». Иногда этот параметр опускается: это всегда один или два цикла (1T или 2T).

    «Участие» некоторых из этих параметров в принципе расчета скорости ОЗУ также можно выразить следующими числами:

    Также вы можете рассчитать задержку до того, как полоска начнет отправлять данные. Здесь работает простая формула:

    Время задержки (с) = 1 / частота передачи (Гц)

    Итак, из рисунка с CPUD можно подсчитать, что модуль DDR 3, работающий на частоте 665-666 МГц (половина от заявленного производителем значения, т.е. 1333 МГц) даст примерно:

    1/666000000 = 1,5 нс (наносекунды)

    период полного цикла (время такта). Теперь посчитаем задержку для обоих вариантов, представленных на рисунках. С таймингами CL-9 модуль будет выдавать «тормоза» с периодом 1,5 x 9 = 13,5 нс, с CL-7: 1,5 x 7 = 10,5 нс.

    Что можно добавить к изображениям? Из них видно, что чем короче цикл зарядки PAC, тем быстрее будет работать сам модуль. Поэтому общее время с момента отправки команды на «загрузку» ячеек модуля и фактического приема данных модулем памяти рассчитывается по простой формуле (все эти показатели должны выдаваться такими утилитами, как CPU -Z):

    Как видно из формулы, чем ниже каждый из указанных вами параметров, тем быстрее будет работать ваша оперативная память.

Оцените статью
Новости, гайды, обзоры, рецензии все о лучших компьютерных играх