Описывая ее, я бы начал с важной закономерности: уменьшая техпроцесс создания данной памяти — увеличивается ее плотность. Так будет до тех пор, пока не будет достигнуто физического ограничения.
3D NAND – что это. Разбираемся с преимуществами технологии
В одном из предыдущих материалов мы «пробегались» по типам памяти, используемой в SSD-накопителях. Разбирались, в чем отличия MLC от TLC, какие у каждого типа достоинства и недостатки. Но это все была технология планарной памяти, а в тренде сейчас многослойность и третье измерение. 3D NAND – что это такое? Какие у него преимущества, перспективы и, вообще, оно нам надо? Давайте разберемся.
В последние годы актуальной задачей стало создание емких, быстрых, надежных и компактных хранилищ данных. Смартфоны, планшеты, фото- и видеоаппаратура, прочая мобильная и не очень техника и, конечно же, бурно завоевывающийся рынок SSD-накопители. Требуются именно емкие и небольшие по размеру микросхемы памяти, учитывая ограничения, которые предъявляют некоторые твердотельные диски. Достаточно посмотреть на форм-фактор M.2 чтобы понять, что большого количества чипов на этой маленькой платке разместить действительно негде.
До некоторого времени увеличивать емкость можно было как минимум двумя способами:
- Увеличить количество бит, хранящихся в ячейке памяти. Так появилась MLC (2 бита в ячейке», потом ее активно стала вытеснять TLC (уже 3 бита на ячейку).
- Уменьшить физический размер ячейки, для чего использовались все боле тонкие техпроцессы. Так, на смену 32 нм техпроцессу пришел 24 нм, его сменил 19 нм, последний, используемый сейчас, техпроцесс – это 15 нм.
Для увеличения емкости кристалла используют оба способа, но дело в том, что последний, 15 нм техпроцесс, действительно последний, т. к. достигнут технологический предел уменьшения физического размера ячеек, и 15 нм действительно является последним техпроцессом, по которому производят привычную NAND-память.
Что собой представляет NAND-память
Если рассмотреть архитектуру памяти, то единицей хранения информации является транзистор. Традиционно используются транзисторы с плавающим затвором, в котором и хранится один, два или три бита информации. Количество этих битов зависит от типов памяти, о которых можно прочитать в другом материале.
Упрощенная схема NAND-памяти представлена на рисунке. Ячейки (они же транзисторы) соединяются последовательно по 16 или 32 ячеек в группе, образуя страницы, из которых формируется блок. Можно представить себе этакое плоское поле, все утыканное ячейками памяти.
Один из недостатков такой организации памяти – в необходимости оперировать не отдельными битами или байтами, а блоками данных, т. е. произвольный доступ к отдельной ячейке невозможен. Если в случае чтения это не является проблемой, то с записью возникают сложности. Для изменения одного бита приходится считывать блок данных, изменять его и записывать обратно.
Это требует выполнения определенных действий (и времени) по программированию ячеек при записи. Причем перезаписываются даже те ячейки, которые не изменялись. Отсюда и вытекает ограниченность количества циклов перезаписи, о которой часто говорят применительно к твердотельным накопителям. Особенно актуально это стало в связи с массовым распространением трехбитовых (TLC) ячеек. Что ж, ради снижения стоимости чипов памяти приходится чем-то жертвовать.
Подобное соединение ячеек позволяет плотно разместить их на кристалле, чем достигается высокая емкость чипов памяти. Чем больше информации можно разместить на единице площади кристалла, тем ниже себестоимость конечного продукта, в данном случае – SSD-диска.
Как было сказано, бесконечно уменьшать размер ячеек нельзя, как и увеличивать плотность их расположения. 15-нм техпроцесс подошел к тому пределу, когда двигаться дальше уже некуда. Ячейки настолько малы, что при дальнейшем их уменьшении заряд начнет «перетекать» из одной ячейки в другую, что, естественно, недопустимо.
Плывя по течению простых рассуждений о твердотельных накопителях, мы приближаемся к финалу повествования и вновь вспоминаем мою короткую историю в самом начале. OPTANE+QLC. Надо разобраться. Для этого мы мысленно возвращаемся в раздел Память. Начнем с несколько противоречивого лично для меня этапа развития памяти:
Типы флеш-памяти в зависимости от конструкции: NOR и NAND
В зависимости от конструкции существуют типы флеш-памяти NOR и NAND. Обе появились ещё в далёких 1988-1989 г.г., NOR – это разработка компании Intel, NAND – разработка компании Toshiba. Отличаются способом соединения ячеек в массив. NAND быстрее и дешевле, чем NOR. NOR используется в основном в микропроцессорах и иных устройствах для хранения небольших объёмов рабочих данных. Т.е. используется в качестве непосредственной памяти микропроцессоров и прочих устройств. Тип же флеш-памяти NAND обычно используется во флешках, картах памяти и SSD. У NAND есть эволюционное продолжение, так сказать, наследник – появившийся в 2013 году тип флеш-памяти 3D NAND.
Флеш-память NAND – это память на основе плоских однослойных структур, т.е. ячейки в чипе памяти располагаются в один слой. При увеличении ячеек памяти на плоской поверхности памяти NAND их расположение ближе друг к другу более определённого расстояния приводит к снижению надёжности SSD. Чтобы выйти за рамки этой обусловленности и иметь возможность производить SSD с большими объёмами, производителям флеш-памяти нужно было прийти к решению многослойной установки ячеек памяти, т.е. укладывать ячейки в несколько слоев, один над другим. Вот, собственно, такая обусловленность и стала причиной эволюции NAND в 3D NAND.
Родителем 3D NAND стала компания Samsung, именно она в 2013 году представила миру усовершенствованную конструкцию NAND-памяти с трёхмерной структурой. Но 3D NAND – это общее название эволюционировавшей флеш-памяти NAND, именно свою технологию её изготовления компания Samsung назвала V-NAND — от Vertical NAND. 3D V-NAND получила вертикальную (отсюда Vertical) трёхмерную (отсюда 3D) структуру микрочипа памяти. Что, соответственно, увеличило его площадь и позволило в разы увеличить объёмы хранимых данных. Но более того: такое решение позволило ещё увеличить надёжность хранения данных, увеличить скорость памяти и удешевить её производство. Первая 3D V-NAND от Samsung имела 24 слоя для хранения данных. По мере развития технологии 3D V-NAND компанией Samsung количество слоёв наращивалось: в 2014 г. появилась память с 32 слоями, в 2016 г. – с 64 слоями, в 2018 г. – с 96 слоями, а в 2019 г. – с 136 слоями.
Позднее свои типы трёхмерной флеш-памяти 3D NAND с несколько отличной конструкцией разработали компании Micron, Toshiba и прочие. Например, технология памяти 3D NAND от Toshiba называется BiCS Flash. Другие производители памяти 3D NAND никак не именуют свою технологию, и, соответственно, для SSD с использованием их памяти в характеристиках указывается просто 3D NAND. И поскольку сегодня память 3D NAND производят разные производители по разным технологиям, такая память может отличаться износостойкостью, скоростью, надёжностью хранения данных и стоимостью.
Какой тип памяти для SSD лучше — NAND или 3D NAND – такой вопрос, друзья, мог стоять ещё пару лет назад. Но сейчас, в 2021 году память 3D NAND практически вытеснила NAND с рынка. Но если у вас всё же будет выбор – NAND или 3D NAND, берите последнюю. А вот если выбирать между конкретными технологиями 3D NAND, я бы посоветовал V-NAND от Samsung, у последних поколений этой памяти хорошие показатели скорости и износостойкости. Пока что на базе V-NAND SSD-накопители производит только сама Samsung. Но с накопителями этой компании есть свои нюансы, у Samsung, свои представления о типах памяти MLC и TLC. И об этом детально мы поговорим в конце статьи.
Типы флеш-памяти в зависимости от технологии хранения информации: SLC, MLC, TLC, QLC
В зависимости от технологии хранения информации типы флеш-памяти бывают SLC, MLC, TLC, QLC. Базово отличаются числом бит информации, которые хранит ячейка памяти. Каждому из этих типов памяти присущи определённые характеристики. Так:
SLC – это тип флеш-памяти, предусматривающий одноуровневую ячейку, в которой хранится только 1 бит информации. И это самый первый тип флеш-памяти SSD. Ему присущи качества хорошей износостойкости, надёжности, низкого энергопотребления, высокой производительности. Но из-за низкой плотности размещения данных в этой памяти накопители с большой ёмкостью стоят очень дорого. Потому SLC-память сегодня практически вытеснена с рынка типом памяти с более высокой плотностью размещения данных и, соответственно, более доступной по цене на Гб.
MLC – это тип флеш-памяти с двухуровневыми ячейками, в которых хранится по 2 бита информации. Имеет оптимальные показатели износостойкости, надёжности, энергопотребления и производительности. Стоит дешевле SLC-памяти.
TLC – это тип флеш-памяти с трёхуровневыми ячейками, в которых хранится по 3 бита информации. Имеет показатели износостойкости, надёжности, энергопотребления и производительности хуже, чем у MLC, но и стоит дешевле MLC.
QLC – это тип флеш-памяти с четырёхуровневыми ячейками, в которых хранится по 4 бита информации. Имеет показатели износостойкости и производительности ещё хуже, чем у TLC, и стоит ещё дешевле, чем TLC. Это относительно новый тип памяти, призванный сделать SSD с большим объёмом массово доступными и окончательно отправить HDD в прошлое.
Поскольку SLC-память не в корпоративном сегменте рынка практически не встречается, а QLC ещё не набрала оборотов и находится на стадии избавления от детских болезней, основными типами флеш-памяти в зависимости от технологии хранения информации, которые имеет смысл рассматривать, являются MLC и TLC. Память TLC вполне пригодна для массового использования: обычные пользователи не производят больших объёмов перезаписи данных, а быстродействие типично производимых ими операций на компьютере могут обеспечить технологии кэширования накопителей. Относительно недавно память MLC была предпочтительнее, но сейчас встречается редко, и это уже не та память, что была ранее. Ибо являет собой отбраковку от производства 32-слойной TLC 3D NAND. Непригодные к использованию в трёхбитовом режиме чипы производители перепрофилируют в двухбитовую MLC 3D NAND. Как результат такая память не сильно впечатляет характеристиками производительности и износостойкости. И ничем не лучше TLC 3D NAND. Но, помимо памяти, при выборе SSD нужно также учитывать прочие факторы, их мы рассмотрим в конце статьи.
Говорить о конкретных цифрах пока сложно, но, некоторые примеры из уже доступных в продаже можно изучить: например, если взять примерно аналогичные накопители M.2 SSD объемом 512 Гб от Intel на базе памяти QLC 3D NAND и TLC 3D NAND, изучить заявленные производителем характеристики, увидим:
3D NAND что это и стоит ли покупать
Для удовлетворения запросов на ёмкость SSD накопителей и чтобы при этом не страдала техническая часть с последующим уменьшением срока работы накопителя, производители стали уменьшать размер самих чипов памяти. Так они дошли до своего предела в 15-12 нм. Исчерпав возможность двигаться в этом направлении и увеличивать память за счёт количества хранения информации на ячейки, они решили изменить структуру их расположения. Так, появились многоуровневые флеш-памяти под аббревиатурой 3D NAND, то есть если ранее ячейки размещались в один слой, то теперь многослойно. Первая компания, которая выпустила трёхмерный чип памяти с трёхуровневыми ячейками, была Самсунг и назвала своё изобретение V-NAND, где V означало “вертикальный”. Другие производители также подхватили эту идею, и в итоге из-за трёхмерной структуры работы чипа памяти он получил название 3D NAND. В будущем планируется выпускать не только 3D V-NAND, но и 3D H-NAND (горизонтальный), так производители смогут ещё больше увеличить ёмкость памяти и срок использования.
Получается, что 3D NAND — это всё те же типы памяти MLC и TLC, только размещаются не одним слоем, а несколькими. Поэтому вы можете приобрести, например, 3D NAND TLC, который будет на голову выше флеш-памяти TLC, но количество хранения будет всё те же 3 Бита. Качественное улучшение произошло только за счёт увеличения количества транзисторов. И скорее всего выбор между 3D NAND TLC и 3D NAND MLC будет определяться личными предпочтениями. Интересно, что многие производители не спешат в характеристиках уточнять, с каким конкретно типом чипа по количеству хранимой информации та или иная модель, просто пишут 3D NAND.
Стоит ли покупать твердотельный накопитель c 3D NAND? Если вам важно долгое хранение информации, производительность твердотельного накопителя, большой объём памяти (сейчас есть устройства с ёмкостью в 6 Тб), то да. Тем более, что за такой конфигурацией флеш-памяти стоит будущее, уже сейчас они по чуть-чуть стали вытеснять с рынка одноуровневые накопители.
3. Попытался рассказать попроще о довольно сложном. Возможно, данный материал здесь, учитывая высокий уровень теоретической и практической подготовки наших читателей, поможет кому-то ответить на еще не возникшие вопросы.
Ориентир второй: параметр TBW
Total Bytes Written — этот параметр показывает, какой объем информации может быть гарантированно перезаписан без ошибок. Как правило, производители указывают его в основных характеристиках SSD-накопителя.
TBW может варьироваться от десятков терабайт до десятков петабайт (напомним, 1 Пб = 1024 Тб). Расчет в этом случае достаточно простой — делим TBW на объем ежедневно перезаписываемых данных.
Например, TBW диска заявлен 150 Тб, а ежедневно вы записываете по 40 Гб данных. Тогда 153600/40 = 3840 дней или 10,5 лет. Опять же, сколько перезаписывается в день — параметр динамический и не всегда известный.
Проще всего воспользоваться специализированными программами, которые сделают все необходимые расчеты за вас. Например, SSD Life подсчитывает объем перезаписанных данных и вычисляет оставшийся ресурс автоматически.
Помните, TBW описывает гарантированный объем перезаписи, но на практике ресурс некоторых SSD может оказаться куда больше.
Как продлевается ресурс SSD
Не стоит забывать про работу контроллера, который самыми разнообразными способами стремится минимизировать количество перезаписей ячеек. Один из алгоритмов — выравнивание износа (Wear Leveling). Контроллер ведет учет количества циклов для каждой конкретной ячейки. Это позволяет при записи перераспределять информацию так, чтобы износ каждой из ячеек накапливался равномерно.
Например, файлы ОС обычно хранятся практически без изменений, из-за чего флеш-память в определенной области практически не стареет, в то время как в других областях наоборот постоянно используется. Wear Leveling при очистке определенных блоков переносит такие системные файлы в другую область и обеспечивает равномерное расходование ресурса.
Несмотря на общую концепцию каждый производитель SSD имеет свои фирменные алгоритмы, которые могут отличаться объемами переносимых данных и способами объединения информации в блоки. Чем эффективнее Wear Leveling, тем дольше прослужит SSD.
Другая технология увеличения ресурса — резервная область (Spare Area). Вы наверняка замечали, что продаются диски на 120 и 128 Гб, 240 и 256 Гб и так далее. Куда же деваются гигабайты в «урезанных» моделях? Это и есть та самая резервная область, с которой могут работать контроллеры.
Во-первых, контроллер получает дополнительные свободные блоки для своих нужд, недоступные для ОС. Это пространство применяется в работе вышеописанного алгоритма выравнивания, уменьшая количество лишних операций перезаписи. Естественно, это положительно сказывается на ресурсе.
Во-вторых, ячейки из резерва используются для замены вышедших из строя блоков. Этот резерв составляет 7 % от всего объема и 28 % для моделей, ориентированных на корпоративный сектор. Такой запас также позволяет увеличить срок службы и повысить безопасность данных.
На некоторых дисках пользователи могут самостоятельно увеличить объем резервной области через специальный софт.
2016 год — TLC — Three Level Cell – ячейка с тремя уровнями. Обладает большей плотностью, но меньшей выносливостью, медленной скоростью чтения и записи и меньшим количеством циклов Program/Erase по сравнению с SLC.
Память V-NAND, 3D NAND, 3D TLC и т.п.
В описаниях SSD накопителей (особенно если речь о Samsung и Intel) в магазинах и обзорах вы можете встретить обозначения V-NAND, 3D-NAND и аналогичные для типов памяти.
Такое обозначение говорит о том, что ячейки флеш-памяти размещены на чипах в несколько слоев (в простых чипах ячейки размещены в одном слое, подробнее — на Википедии), при этом это та же память TLC или MLC, только не везде это обозначается явно: например, для SSD от Samsung вы увидите только то, что используется V-NAND память, однако информация о том, что в линейке EVO применена V-NAND TLC, а в линейке PRO — V-NAND MLC не всегда указывается. Также уже сейчас появились накопители QLC 3D NAND.
Лучше ли 3D NAND чем «плоская» (planar) память? Она дешевле в производстве и тесты говорят о том, что на сегодняшний день для памяти TLC вариант с многослойным размещением обычно более эффективен и надежен (более того, Samsung заявляет о том, что в устройствах их производства память V-NAND TLC обладает лучшими характеристиками производительности и срока службы, чем planar MLC). Однако, для памяти MLC, в том числе в рамках устройств одного производителя это может быть не так. Т.е. опять же, всё зависит от конкретного устройства, вашего бюджета и других параметров, которые следует изучить перед покупкой SSD.
Я бы рад рекомендовать Samsung 970 Pro хотя бы на 1 Тб как неплохой вариант для домашнего компьютера или ноутбука, но обычно приобретаются более дешевые диски, для которых приходится внимательно изучать весь набор характеристик и сопоставлять их с тем, что именно требуется от накопителя.
Отсюда и отсутствие четкого ответа, а какой тип памяти лучше. Конечно, ёмкий SSD с MLC 3D NAND по набору характеристик будет выигрывать, но лишь до тех пор, пока эти характеристики рассматриваются в отрыве от цены накопителя. Если же учитывать и этот параметр, то не исключаю, что для некоторых пользователей будут предпочтительнее QLC диски, ну а «золотая середина» — память TLC. И, какой бы SSD вы не выбрали, рекомендую серьезно относиться к резервному копированию важных данных.
А вдруг и это будет интересно:
1. По поводу последнего предложения «И, какой бы SSD вы не выбрали, рекомендую серьезно относиться к резервному копированию важных данных». Это актуально для SSD больше, чем для HDD? Ведь вторые тоже выходят из строя, и даже вроде бы как более неожиданно, чем первые. Или эта фраза становится актуальной под конец срока службы SSD?
2. Правда ли, что когда SSD отработал свой ресурс, то на него просто нельзя будет записывать информацию, но то, что есть на диске не пропадет? Или все же не все так гладко?
3. Если взять SSD на 500 гб и под диск D на хранение файлов выделить половину, допустим, и хранить там медиа, записывать туда нечасто, а в основном читать файлы, то это будет плюс минус одно и то же, чем если взять SSD под систему на 250 а на хранение файлов HDD? Одинаковый ли примерно износ SSD будет и больше ли риск потерять медиа?
Спасибо.
Здравствуйте.
1. В целом, что для SSD что для HDD при прочих равных наблюдаемая со стороны «рядового пользователя» надежность будет почти одинаковой сегодня (иначе говоря, раньше заменит, чем столкнется с проблемами), разве что про QLC пока так сказать нельзя, они менее долговечны. Но: SSD в редких (но столкнуться теоретически можно) случаях выходят из строя внезапно без видимых предпосылок и конца срока службы. И выходы из строя бывают разными, часто делают восстановление данных почти невозможным (в отличие от HDD, где и с заевшими шпинделями и с посыпавшимися блинами мы что-то можем вытащить — т.к. данные аккуратно разложены по дорожкам, на SSD — хаос байтов, порядок в которых прослеживает/задает контроллер, иногда только вот этот конкретный, который только что вышел из строя).
2. Не всегда и не на любых SSD, к сожалению. Сейчас чаще всего поведение именно такое (опять же, при исправном контроллере), но тоже не всегда. Иногда он просто «исчезает».
3. Тут нельзя уверенно ответить про износ SSD, нужно считать исходя из количества данных (не только медиа, но и ОС, временных, прочих).
Тогда высчитаем суточный цикл перезаписи: 20*6/120 = 1. Далее с учетом общего количества циклов определим срок службы: 5000/1/365 дней = 13,7 лет.
1. Планарный тип или 2D.
Описывая ее, я бы начал с важной закономерности: уменьшая техпроцесс создания данной памяти — увеличивается ее плотность. Так будет до тех пор, пока не будет достигнуто физического ограничения.
2007 год — SLC – Single Level Cell – ячейка с одним уровнем. Имеет высокую производительность, низкое потребление электроэнергии, наибольшую скорость записи и количество циклов Program/Erase. Такой тип памяти обычно используется в серверах высокого уровня, поскольку стоимость SSD на их основе велика.
2011 год — MLC — Multi Level Cell – ячейка с несколькими уровнями. Обладает меньшей стоимостью, по сравнению с SLC, однако обладает меньшей выносливостью и меньшим количеством циклов Program/Erase. Является хорошим решением для коммерческих и рабочих платформ — имеет хорошее соотношение цена/скорость работы.
eMLC — Enterprise Multi Level Cell – ячейка, аналогичная по структуре обычной MLC, но с увеличенным ресурсом по циклам Program/Erase. По надежности eMLC находится между SLC и MLC, при этом цена не сильно выше, чем у последней. Типичное применение — рабочие станции и серверы среднего класса. (Давайте и эту память мы отбросим от ее рассмотрения, а остановимся на трех основных классах).
2016 год — TLC — Three Level Cell – ячейка с тремя уровнями. Обладает большей плотностью, но меньшей выносливостью, медленной скоростью чтения и записи и меньшим количеством циклов Program/Erase по сравнению с SLC.
Важной особенностью линии развития памяти в цепочке SLC-MLC-TLC является увеличение уровней ячеек. Но. резко падает выносливость, грубо говоря до серьезных цифр (на порядки) падает число циклов полной перезаписи. Да и скорость падает. Прямо регресс какой-то. Успокаивает то, что цена тоже падает и, как это ни странно, падает ощутимо. Плюс растет качество контроллеров, да всегда уменьшается техпроцесс. Впрочем, чтобы глубоко не погружаться в технические джунгли самому и не замучить вас, мои читатели, скажу, что эти страшные цифры снижения выносливости с переходом применения памяти от одной к другой вряд ли будут опасны для простого пользователя. Этих цифр хватит, чтобы мы с вами пользовались своим новым SSD много лет. Другое дело сервера и рабочие станции. Тут уж не грех и про эту самую «выносливость» подумать. Но и производители не дремлют. Линейка PRO некоторых производителей, например, говорит нам о том, что диск на основе MLC прослужит долго при максимальных нагрузках, но и стоить будет значительно дороже аналога на TLC. Подведя промежуточный итог на этапе рассказа о типах памяти скажем так: SLC получила распространение в корпоративном сегменте, TLC стала безусловным монополистом в рознице, а продукция на основе MLC ориентирована, в первую очередь, на тех, кто ценит надежность и при этом хочет выжать все возможное из своей машины.
Все бы так и оставить, но потенциал двумерной NAND оказался ограничен. С этого я начал свой рассказ о памяти. Когда возможности 15-нанометрового технологического процесса были практически исчерпаны, а дальнейшее совершенствование программной части перестало обеспечивать сколь-либо заметного прироста важнейших показателей, на смену планарным микросхемам пришла флэш-память 3D NAND.
2. 3D NAND
— здесь разработана и применена технология вертикального расположения слоев кристаллов в одной плоскости, начали с нескольких слоев для увеличения плотности и успешно добрались до создания 96-слойной памяти. Самсунг еще в 2013 году, назвав память V-NAND, уже выпустила ее на рынок. Но. идея была слишком свежа для полномасштабного выпуска на потребительский рынок, и эти 48 слоев такой памяти запомнились тогда как ожидание будущего — быстрого и ускоренного для SSD. А ещё был Intel и Micron с 32 слоями. Сами понимаете, где был, но ведь был. А потом было 64 и 72 слоя и не только от Самсунг, сейчас Самсунг 970EVO PLUS представлены 96 слоями. Кстати, ресурс трехмерной памяти выше, чем у обычной, примерно на порядок.
После того, как мы поговорим чуточку о другом, к видам памяти мы еще вернемся, да и у вас, мои дорогие читатели, появится повод дочитать мои размышления до конца.
А поговорим мы о физическом интерфейсе подключения и форм-факторе, что иногда одно и тоже, в свете разговора о пропускной способности. И здесь мы начнем с маленькой, но важной закономерности. Неважно сколько лет мы подключаем свои HDD к шине для накопителей, важно, что сможет позволить этот интерфейс нашей памяти. С какой скоростью он позволяет обмениваться информацией? Вспомним азбучные вещи:
1. IDE / SATA/
Кому-то интересно будет узнать, что IDE SSD тоже были как в форм-факторе 2,5 дюйма, так и 3,5, а вот список привычных интерфейсов пользовательского уровня для внутренних носителей:SATA 2 интерфейс обратно совместим и поддерживается на SATA 1 портах. SATA 3 интерфейс обратно совместим и поддерживается на SATA 1 и SATA 2 портах. Однако максимальная скорость диска будет медленнее из-за скоростных ограничений порта.
Как эти азбучные данные применить к размышлениям о SSD? А вот как:
Например, SanDisk Extreme SSD поддерживает интерфейс SATA 6 Гбит/с и при подключении к портам SATA 6 Гбит/с может доходить до 550/520MБ/s последовательного чтения и последовательной записи соответственно. Однако, когда диск подключен к порту SATA 3 Гбит/с, она может доходить до 285/275MБ/s последовательного чтения и последовательной записи соответственно. В любом случае, это будет много быстрее, чем использование даже самого скоростного HDD.
Дальше возник совершенно простой вопрос. Поскольку память для SSD способна работать и на гораздо больших скоростях, а развитие и физические возможности интерфейса SАТА и всех его итераций исчерпали себя, то надо дать что-то другое данным носителям информацми. Дать новое или уже имеющееся и применяемое. Кстати, несмотря на то, что SАТА для HDD вполне достаточный интерфейс, задумывались о новом, как раз для HDD дисков. А применять стали для SSD. Что же нашли? А вот что:
Далее я просто приведу пример других известных форм-факторов без комментариев. Потом вернемся к обсуждению новейших видов памяти с привязкой ее к этим форм-факторам и их интерфейсам. Мне кажется, что так нам будет легче внести ясность в предмет обсуждения:
Экзотику лишь упомянем. Это, например, накопитель, который вставляют прямо в слот оперативной памяти
Еще один, который сейчас редко встретишь. SATA-Express, с интерфейсом, использующим 2 линии PCI-Express, что позволяет достигать максимальной пропускной способности в 2 ГБ. Реализации не нашел. Сейчас SSD-диски M.2 (забегая немного вперед) могут использовать 4 линии PCI-Express с пиковой пропускной способностью 4 ГБ/с. Для подключения используется специальный кабель.
